同惠 TH510半導體C-V特性分析儀測試光伏逆變器功率解決方案
2024-09-30
一、光伏逆變器功率器件測試
在光伏儲能系統(tǒng)中，功率器件（MOSFET、IGBT）決定著光伏逆變器開關速度及轉(zhuǎn)換效率，器件中PN結(jié)寄生電容對開關速度及轉(zhuǎn)換效率有著直接的危害。
TH510半導體C-V特性分析儀可直接測量功率器件關鍵寄生參數(shù)，助力優(yōu)化太陽能控制器，并確保半導體器件在電池管理系統(tǒng)中的穩(wěn)定性。它支持廣泛的電壓范圍，標配2通道并可擴展至6通道，快速電容充電技術、Crss Plus技術、高壓擊穿保護技術等先進技術的完善，進一步提升測試效率及準確性、安全性，滿足復雜光儲應用的需求。
二、TH510半導體C-V特性分析儀
TH510系列半導體C-V特性分析儀是根據(jù)當前半導體功率器件發(fā)展趨勢，針對半導體材料及功率器件設計的分析儀器。
儀器采用了一體化集成設計，二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測試，無需頻繁切換接線及設置參數(shù)，單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測試，適用于生產(chǎn)線快速測試、自動化集成。
CV曲線掃描分析能力亦能滿足實驗室對半導體材料及功率器件的研發(fā)及分析。
儀器設計頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達±40V，VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大多數(shù)功率器件測試。
TH510半導體C-V特性分析儀包括以下幾種型號：
應用
半導體元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析
半導體材料
晶圓切割、C-V特性分析
液晶材料
彈性常數(shù)分析
電容元件
電容器C-V特性測試及分析，電容式傳感器測試分析
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